数据手册Datasheet解读-MOS管笔记

本文主要是介绍数据手册Datasheet解读-MOS管笔记，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

NMOS应用场景

NMOS它其实用的比较多的地方，一个就是这个开关电源，然后另外就是作为一些开关，就是做同步整流或者逆变器什么之类的。应用最广泛的还是Buck转换器或者Boost转换器这类开关电源用的比较多一点。

一般特征

MOS管的主要参数通常在数据手册的首页有很明确的指标，您可以找到关于该器件的一般特性（General features）部分。在那里，您会找到关于导通电阻（RDS(on)）、漏源电流（Id）、最大电压（Vdss）等关键参数的详细信息。

第一个参数Vdss

Vdss200V。D和S之间能够承受的这个最大的最大电压200V。
比如说一个Buck电路，你的输出电流，输出电压到底是多大，或者说你需要承受的这个电压到底是多大，你的输入电压是多少。然后根据你电路实际需求的电压去选，去确定电压就可以了。

第二、三个参数Rds（on）、Id

Vdss电压的大小会直接影响后面这两个参数。 Rds（on），MOS管完全导通时，MOS管内部形成的最小电阻值，另外一个是漏源电流（Id）流过MOS管最大的电流。所以MOS管Vdss电压越大了，漏源电流（Id）和导通电阻肯定会相应的产生变化。当电压增大时，导通电阻也会相应地增大，从而导致电流减小。因为这个产品的封装在这里摆着，所以它的散热是一定的。

MOS管的散热

MOS管的散热是一个非常重要的问题， 因为过大的电流会导致发热，进而影响其性能和寿命。比如说汽车电子或者说这个医疗电子上面用的一些小功率，其实都是集成在里面。而大的是外置的，因为它的散热会好一点，所以大功率会外置，小功率其实都是集成。

绝对最大额定值

第一个参数-Vd

MOS管最大承受电压为200V（这个都绝对值），超过是会烧掉的。因为电压击穿它是瞬间的，它不像电流，电流如果击穿的话，它也有一个慢慢发热的这个过程。应用上都会放80%或者50%这个余量，实际大家选用的时候，余量都会留的比较大的。

第二个参数-Vdgr

漏级和栅级的最大电压。

第三个参数-Vg(栅源电压)

，栅极是MOS管导通的控制电压，这个电压就是要一般都是在正负20V。这个电压要控制好，不能超一超就会把栅源干废了。正常情况下是需要放一个小的稳压管去做保护或者你做电路的时候就直接用分压电阻把它分的很小。反正就是要做一级小保护电路。

第四个参数-Id

这也是一个比较重要的参数，其实就是这个MOS管的最大的这个电流，其实我们也号称是额定电流。

第五个参数-Idm

pose电流就是瞬间的这个电流。我们一般情况下也不到。他是有条件在表格下面的注释，这个电流会达到多少，可以承受多少。只能看他的注释。标准里面定义的说我这个脉冲是多少，具体到什么样的脉冲，然后这个MOS管能够承受一个多大的电流，就是做了一个几千伏的电流，他测试的时候他会给出这个条件过来。

第六个参数-Ptot

MOS管整个的耗散的功率，比如说我这个MOS管器件上面能够承受一定的电压，然后还能过一定的电流，电流跟电压相乘就是功率（Id乘以Vds）。那么我这个MOS管器件能够承受的功率是多大？就以耗散的功率为界限，不能超过它，因为表格就是极限参数，超过发生不可不可逆的损伤。

第七个参数-Viso

隔离可承受电压是最大电压2000V，好像是静电，这个参数不太了解没有用过。

第七和八的参数-Tj 、Tstg

一个是存储温度，一个是MOS管正常工作的管芯温度一个范围温度值

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