本文主要是介绍tiny4412之内存控制器工作时序(DDR3 SDRAM)(二)，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
Table of Contents
一、SDRAM 简易工作流程
二、tRCD 行列延迟RAS to CAS Delay
三、 CL（RL，Read Latency）读取潜伏期
四、tWR 写延迟
五、突发长度--(Burst Lengths)
六、预充电时间tRP
七、刷新时间
八、例说
一、SDRAM 简易工作流程
二、tRCD 行列延迟RAS to CAS Delay
行地址确定之后，就要对列地址进行寻址了。读写的信号和列地址是同时发过来的，读写的操作取决于WE#引脚，当他使能则为写，否则为读。
在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔，这个间隔被定义为 tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS 至 CAS 延迟），大家也可以理解为行选通周期，简单说就是，发完行地址再延迟tRCD时间发送列地址，这应该是根据芯片存储阵列电子元件响应时间（从一种状态到另一种状态变化的过程）所制定的延迟。
广义的 tRCD 以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位，比如 tRCD=2，就代表延迟周期为两个时钟周期，具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定，对于PC100 SDRAM，tRCD=2，代表1000/100 * 2 = 20ns 的延迟，下图是tRCD=3的时序图。
三、 CL（RL，Read Latency）读取潜伏期
在选定列地址后，就已经确定了具体的存储单元，剩下的事情就是数据通过数据 I/O 通道（DQ）输出到内存总线上了。
但是在CAS发出之后，仍要经过一定的时间才能有数据输出，从CAS（列有效信号）与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间，被定义为 CL（CAS Latency，CAS潜伏期）。由于CL只在读取时出现，所以 CL 又被称为读取潜伏期（RL，Read Latency），下图是CL=2的示意图。
四、tWR 写延迟
数据写入的操作也是在 tRCD 之后进行，但此时没有了 CL（记住，CL 只出现在读取操作中），行寻址与列寻址的时序图和上文一样，只是在列寻址时，WE#为有效状态。 为了保证数据的可靠写入，都会留出足够的写入/校正时间（tWR，Write Recovery Time），这个操作也被称作写回（Write Back）。tWR 至少占用一个时钟周期或再多一点（时钟频率越高，tWR 占用周期越多）
五、突发长度--(Burst Lengths)
突发（Burst）是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到存储单元（列）的数量就是突发长度（Burst Lengths，简称 BL）。 只要指定起始列地址与突发长度，内存就会依次地自动对后面相应数量的存储单元进行读/写操作而不再需要控制器连续地提供列地址。这样，除了第一笔数据的传输需要若干个周期（主要是之前的延迟，一般的是 tRCD+CL）外，其后每个数据只需一个周期的即可获得。
六、预充电时间tRP
由于 SDRAM 的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一个Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列地址。Bank 关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电（Precharge）。 在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送 RAS 行有效命令打开新的工作行，这个间隔被称为tRP（Precharge command Period，预充电有效周期）。和 tRCD、CL 一样，tRP 的单位也是时钟周期数，具体值视时钟频率而定。
七、刷新时间
之所以称为 DRAM，就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因此它是 DRAM 最重要的操作。刷新操作与预充电中重写的操作一样，都是用 S-AMP 先读再写。 但为什么有预充电操作还要进行刷新呢？因为预充电是对一个或所有L-Bank 中的工作行操作，并且是不定期的，而刷新则是有固定的周期，依次对所有行进行操作，以保留那些久久没经历重写的存储体中的数据。但与所有 L-Bank 预充电不同的是，这里的行是指所有 L-Bank 中地址相同的行，而预充电中各 L-Bank 中的工作行地址并不是一定是相同的。比如我有四片，刷新是我依次刷新四片内存中的某个地址，然后再刷下一个；而预充电的工作行地址可以不同。
那么要隔多长时间重复一次刷新呢？目前公认的标准是，存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000 秒），也就是说每一行刷新的循环周期是 64ms。这样刷新速度就是：行数量/64ms。我们在看内存规格时，经常会看到
4096RefreshCycles/64ms 或 8192RefreshCycles/64ms 的标识，这里的 4096 与 8192 就代表这个芯片中每个 L-Bank 的行数。刷新命令一次对一行有效，发送间隔也是随总行数而变化，4096 行时为 15.625μs（微秒，1/1000 毫秒），8192 行时就为 7.8125μs。
刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh，简称 AR）与自刷新（Self Refresh，简称 SR）。
SR 则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，这方面最著名的应用就是 STR（Suspend to RAM，休眠挂起于内存）。在发出 AR 命令时，将 CKE 置于无效状态，就进入了 SR 模式，此时不再依靠系统时钟工作，而是根据内部的时钟进行刷新操作。在 SR 期间除了 CKE 之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令），只有重新使 CKE 有效才能退出自刷新模式并进入正常操作状态。
八、例说
以上就是SDRAM是主要工作步骤，对比一下最上面的简易工作流程图，时间是不是就很清楚了呢？
表8-1、DDR3时序时间参考表
CL=9ns：CAS Latency，CAS 潜伏期，CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的时间 ----读操作
tRCD=13.5ns：RAS to CAS Delay（RAS 至 CAS 延迟），行地址发完后，再发列地址的延迟时间 ----行列地址延迟
tRP=13.5ns 关闭现有工作行，准备打开新行，经过一段时间才能允许发送 RAS 行有效命令打开新的工作行的时间 ----预充电时间
OK，至此三个时间全部清清楚楚了。
这篇关于tiny4412之内存控制器工作时序(DDR3 SDRAM)(二)的文章就介绍到这儿，希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助！
