SYD8811/8810频繁写flashdata然后立即读会造成数据错误的解决办法

本文主要是介绍SYD8811/8810频繁写flashdata然后立即读会造成数据错误的解决办法，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

在flashdata的测试工程(Source Code\SYD8811_peripheral_misc\flash_internal_custom_Anysize)如果按照下图来修改代码可以发现在写完之后立即读取数据会有问题,但是经过测试发现如果84行的操作一次性把所有的字节读出去来确是没有问题的:

		if(GPIO_Pin_Read( U32BIT(KEY1))){uint8_t *p_flashdata= (uint8_t *)(flash_data_offect_get());int i=0;for(i=0;i<WRITE_READ_LEN;i++){tx_buff[i]=base_data+i;}memset(rx_buff,0,WRITE_READ_LEN);dbg_printf("write addr:%04x len:%04x\r\n",FLASH_INTERNAL_DATA_ADDR+addr,WRITE_READ_LEN);//注意ble_flash_erase函数会进行擦除操作，所以必须要保证地址是正确的EraseFlashData(FLASH_INTERNAL_DATA_ADDR+addr,1);   //注意这里是标准的flash操作，在写数据之前必须要擦除，除非要写的地址区域已经被擦除过//RefreshCache();DBGHEXDUMP("er:",p_flashdata,WRITE_READ_LEN);//WriteFlashData(FLASH_INTERNAL_DATA_ADDR+addr,WRITE_READ_LEN, tx_buff); for (i=0; i<sizeof(tx_buff); i+=4)WriteFlashData(FLASH_INTERNAL_DATA_ADDR+addr+i,4, tx_buff+i);//RefreshCache();DBGHEXDUMP("wr:",p_flashdata,WRITE_READ_LEN);//DBGHEXDUMP("",tx_buff,WRITE_READ_LEN);base_data++;GPIO_Pin_Turn(LED1);delay_ms(600);}

在这里插入图片描述
测试结果如下:

可以看到在写完数据后立即去读返回的数据是错误,但是写完成后按下按键2去读,缺可以读到正确的内容!

综上述所这个问题应该是cache没有来得及刷新造成的,写完立即读这时候读到的是之前缓存在cache的数据,所以这里在读取之前加上RefreshCache();函数的调用,也就是把82 87行的注释放开:
在这里插入图片描述
测试发现确实解决了上面数据错乱的问题,每次都能够成功读取回正确的数据:

注意:上面的方式并不是没有代价的,如果了解过单片机flash cashe的机制就会明白调用RefreshCache函数相当于清空掉cache的缓存,缓存清除后下次MCU内核要访问指令或者数据都要重新去flash拿,也就是说调用RefreshCache后会造成之后被调用的函数要重新加载一次,速度变慢,所以频繁调用RefreshCache函数是不可取的!
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