本文主要是介绍[HBM] HBM 国产进程， 国产HBM首次研发成功 （202406），希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
依公知及经验整理，原创保护，禁止转载。
专栏 《深入理解DDR》
AI 的火热浪潮带火了高带宽内存的需求，HBM已是存储市场耀眼的明星。目前市场上还没有国产HBM, 什么时候可以看到国产希望呢？ 或许现在可以看到曙光了。
1. 设计端
1 生 2， 2 生 3， 3 生万物，万物怎么出现的， 当然是先有设计了。
1.1. 长鑫存储 HBM 样品
DRAM 原厂长鑫存储与芯片封装测试公司通富微电子(002156.SZ)合作开发了 HBM芯片样品 [来源]。目前已送样给潜在客户。长鑫存储有强大的 DDR5 能力， 而HBM 的基础就是 DDR5 加上先进封装 TVS 技术， 而富通微正好有先进封装技术， 这波真是强强联手， 前景可期。
1.2. 武汉新芯
武汉新芯发布消息，武汉新芯筹建新基地，生产国产高带宽存储器（HBM）产品，规划月产出能力≥3000 片（12 英寸）
2. 先进封装
有了设计就要制造啊， 不然就是停留在在图纸上， 没有产品。
初听起来 HBM 就是把 DDR 叠在一起， 这样想就太太太想简单了。
HBM则采用独特的垂直堆叠封装方式，同一封装内的多个die垂直堆叠并通过垂直的TSV（Through Silicon Via，硅通孔）互连。
“HBM 领域的很多领域实际上更多的是关于制造问题，而不是知识产权问题”。 卡壳的已经不是制程或是算法、架构的问题，时代的重任落在了先进封装上， 其中关键是 TVS。
HBM项目的研究和制造涉及复杂的工艺和技术挑战，包括晶圆级封装、测试技术、设计兼容性等。另外还涉及到硅通孔（TVS）、凸块、微凸块和RDL等工艺，其中硅通孔占据最高的封装成本比例，接近30%。
良率
先进封装不能说有能力装出来就行了， 重要的是良率，目前 TVS 良率是 50%, 代表有一半都变成废料了， 废料啊， 就是只能当垃圾碾碎了。
举例来说：
一片最新的 HBM3E ， 容量是 24Gb， 这就需 24 颗 1Gb 的DDR5 内存颗粒堆叠 24 层而成。假若封装时， 其中一层出现不良，很痛心的是， 整个堆栈的 24 层都变成废品。
现在海力士 HBM 产线连后年的产能都被英伟达包圆了， 出来建新的产线，提高良率也是一个迫在眉睫的问题。目前国产的才刚打样出来， 还没有良率数据，但这今天或是明天， 必然是国产HBM封装要迈过去的一道坎。
大陆只有长电科技、通富微电和盛合晶微有支持HBM生产的技术（如TSV硅通孔）和设备， 注意额， 只是有这个能力储备， 并没说实际生产了HBM。
2.1 通富微
通富微在 2021 年就具备 2.5D/3D 先进封装研发及量产基地， 这在国内算超早的， 南通通富工厂先进封装生产线正在建设中（2024）。
DRAM 原厂 长鑫存储与芯片封装测试公司 通富微电子(002156.SZ)合作开发了 HBM芯片样品。
2.2 太极实业
海太半导体是由海力士与太极实业合资成立的一家公司，其具备高端DRAM封测能力。太极实业、拥有国内唯一的16层DRAM高堆叠技术储备。由于海太半导体的技术源自海力士，目前已提供DRAM封装技术，并有望接受HBM3（12 层堆叠）封装订单。
3 上游
3.1 原材料
雅克科技: HBM前驱体， 还有光刻胶。
华海诚科：环氧塑封料厂商，GMC高性能环氧塑封料是HBM的必备材料，相关产品已通过客户验证，现处于送样阶段，根正苗红的 HBM 标的。
3.2 设备
== 占位符 ==
4 销售端
香农芯创此作为SK海力士分销商之一具有HBM代理资质， 但作为代理，能分得多少毛利值得进一步观察。原厂不会让代理赚太多钱，即便是 HBM 这种高端产品，毛利率高一些，但毛利率也就比个位数多一点 [出处]。
代理海力士产品中，DRAM占比约70%，NAND和SSD业务占比约30% [来源链接]。
结语
国内存储厂商的起点在 HBM2。
目前国外主流的内存产品已经发展到了HBM3和HBM4，而国内产业目前才刚从在HBM2起步。预计国内产业要到2026年才能实现量产HBM3，然而在这段时间内可能会出现很多不确定因素。无论未来市场发展如何，国内产业已经展示出了自己的实力，并且瞄准了更高的目标。
国产替代任重而道远。
参考
| 1 | https://www.rightic.cn/srvContent/view?columnType=4&id=969128025416564737 |
| 2 | https://xueqiu.com/2899323515/280767218 |
免责声明：
一. 本博客及动态出现的信息，均仅供参考。本人将尽力以求所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性。本人对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任（包括侵权责任、合同责任和其它责任）。
二. 任何透过本博客及动态的网页或链接及得到的资讯、产品及服务，本人概不负责，亦不负任何法律责任。
三. 本博客及动态使用的信息，网页或链接（图片）可能由于本人疏忽未标明作者和出处，如有侵权，请立即与本人取得联系。
四. 本博客及动态支持保护知识产权，任何单位或个人认为本博客及动态中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权，应该及时向本人提出，并提供侵权情况证明。本人会依法尽快删除相关内容或断开相关链接。
五. 本博客内容仅供学习交流，禁止商用。
六. 阅读并使用本博客及动态包括其提供的网页链接及资源时，即代表您已阅读并同意本免责声明的全部内容。如有异议，请立刻关闭本网页并屏蔽本人动态并停止使用。
这篇关于[HBM] HBM 国产进程， 国产HBM首次研发成功 （202406）的文章就介绍到这儿，希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助！
