本文主要是介绍RK3588平台开发系列讲解(硬件篇-功能接口1),希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!
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SDMMC/SDIO
SARADC 电路
OTP 电路
SDMMC/SDIO
RK3588集成了1个SDMMC控制器和1个SDIO控制器,均可支持SDIO3.0协议,以及MMC V4.51 协议。 4线的数据总线宽度;支持SDR104模式,速率达到150MHz。
SDMMC接口复用在VCCIO2电源域;
支持System Boot,默认分配接SD卡功能;
SDMMC与JTAG等功能复用在一起,默认通过SDMMC_DET状态进行功能选择;
VCCIO2供电电源,需要外部提供3.3V或1.8V供电;
当接SD卡时:如果只要支持SD2.0模式:可直接供3.3V电源;如果要支持SD3.0模式兼容SD2.0 模式:默认供3.3V电源,待和SD卡协商跑SD3.0模式后,供电电压需要切换成1.8V供电,RK806-2 或RK806-1的PLDO5单独给VCCIO2供电,可实现这个过程;
当接SDIO设备时:根据外设以及实际运行的模式供1.8V或3.3V;
当通过连接器实现板对板连接时,建议串接一定阻值的电阻(22ohm-100ohm之间,具体以能满足 SI 测试为准),并预留TVS器件;
当接SD卡使用时,需要注意以下问题:SD卡的VDD脚供电电压为3.3V,去耦电容不得删减,布局时,要靠近卡座放置;
SDMMC_D[3:0],SDMMC_CMD,SDMMC_CLK需串接22ohm电阻,SDMMC_DET串接 100ohm 电阻;
SDMMC_D[3:0],SDMMC_CMD,SDMMC_CLK,SDMMC_DET 信号在 SD 卡位置需要 放置ESD器件,需要支持SD3.0模式,ESD器件的结电容必须小于1pF,如只需支持SD2.0 模式,ESD器件的结电容可放宽到9pF。
SDMMC0接口上下拉和匹配设计推荐如表:
SDIO接口复用两个位置,一个在VCCIO3电源域,一个在VCCIO5电源域,只能使用其中一个, 要么全部用VCCIO3电源域,要么全部用VCCIO5电源域里,不支持有些使用VCCIO3电源域, 有些使用VCCIO5电源域;
不支持System Boot;
VCCIO3供电电源为1.8V only; VCCIO5供电电源为1.8V or 3.3V,根据外设需要选择对应的电 压,需要注意和外设的IO保持一致。
SDIO接口上下拉和匹配设计推荐如表:
SARADC 电路
RK3588 集成了一个分辨率为12bit的SARADC控制器,速度达到1MS/s,输入电压范围为0-1.8V, 可提供8路SARADC输入。 SARADC_IN0_BOOT专用于SYSTEM BOOT启动顺序的设置,不能用于其它功能,通过上下拉电阻 分压采样得到的值,用来判断从哪个接口进行BOOT,设置如下表:(Rup/Rdown代表上、下拉电阻)
若Rup=DNP,Rdown=100K;RK3588设备连接好USB线,此时上电,系统可以直接进入Maskrom。 SARADC_VIN1当做按键的键值输入采样,并复用为Recovery模式按键(不可修改)。 SARADC_VIN1 通过10Kohm上拉电阻上拉到VCCA_1V8_S0,默认为高电平(1.8V),在没有按键 动作且系统已经烧录固件的前提下,上电直接进入系统;若系统启动时Recovery模式按键处于按下状态, 即将SARADC_VIN1保持为低电平(0V),则RK3588进入Loader烧写模式,当PC识别到USB设备时松开按键使SARADC_VIN1 恢复为高电平(1.8V),即可进行固件烧写。因此,在产品未有按键情况下, SARADC_VIN1 悬空时,会不定态,可能会影响开机,所以SARADC_VIN1 的 10Kohm 上拉电阻必须保 留,不可删减,保证默认的正常启动判断;为了方便开发,SARADC_VIN1建议预留按键或预留测试点。
RK3588 SARADC 设计注意点:
SARADC_AVDD_1V8电源的去耦电容不得删减,布局时,要靠近RK3588管脚放置;
SARADC_VIN[7:0]有使用,靠近管脚必须增加1nF电容消抖;
用于按键采集时,靠近按键需做ESD防护,而且0键值的必须串接100ohm电阻加强抗静电浪涌 能力(如果只有一个键时,ESD必须靠近按键,先经过ESD100ohm电阻1nF芯片管脚)。
OTP 电路
RK3588 内部有32Kbit空间和高位4Kbit的地址非安全空间用于编程。支持编写,读取以及空闲模式, 这几个模式OTP_VDDOTP_0V75管脚都必须供电。 OTP_VDDOTP_0V75 电源的去耦电容不得删减,布局时,要靠近RK3588管脚放置。
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