ASEMI的MOS管25N120在不同应用场景的表现

2024-03-13 03:50

本文主要是介绍ASEMI的MOS管25N120在不同应用场景的表现,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

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根据其应用方式,MOS管25N120的主要作用是:

1、做放大管;

2、做高速管;

3、做电流镜管;

4、做开关。

25N120参数描述

型号:25N120

封装:TO-247

集电极-发射极电压(VCES):1200V

集电极电流(IC):25A

栅极-发射极电压(VGES):±20V

功耗(PD):310W

G-E漏电流(IGES):±100nA

G-E阈值电压(VGE(th)):7.5V

输出电容(COSS):180pF

脉冲集电极电流(ICM):75A

开启延迟时间(td(on)):60nS

关断延迟时间(td(off)):170nS

 

MOS管需要设置的大小和电压主要有以下两种:

1、栅长L;

2、过驱动电压Vgs-Vth

MOS管25N120用作放大管时,比如运放的输入管,目标是达到更高的增益,所以用作放大管的MOS管的L要大一些,Vgs-Vth要小一些。

当MOS管25N120用作高速管时,如低噪声放大器、压控振荡器、混频器等射频电路,其目标是追求高速,其结论与放大管截然相反。为提高电路速度,MOS管应取最小的工艺L和较大的Vgs-Vth。因为L越大,MOS管的寄生电容就越大,会影响管子的高速性能。

MOS管25N120用作电流镜管时,其目标是实现电流的精确复制。因为电流复制是静态信号,不需要速度,所以MOS管的L要大一些,因为MOS管的L越大,MOS管的厄利效应越小,电流复制就会越准确。同时需要注意当前电流镜对的Vds是否相等,一个工作在饱和区的MOS管,Vds相同,L较大,可以很好的实现电流复制。

MOS管25N120用作开关管时,漏源电压Vds应很小,MOST工作在线性区。在这个区域,MOST晶体管实际上是一个小电阻,提供线性伏安特性。

这篇关于ASEMI的MOS管25N120在不同应用场景的表现的文章就介绍到这儿,希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助!



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