【STA】SRAM / DDR SDRAM 接口时序约束学习记录

本文主要是介绍【STA】SRAM / DDR SDRAM 接口时序约束学习记录，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

1. SRAM接口

相比于DDR SDRAM，SRAM接口数据与控制信号共享同一时钟。在用户逻辑（这里记作DUA（Design Under Analysis））将数据写到SRAM中去的写周期中，数据和地址从DUA传送到SRAM中，并都在有效时钟沿处被锁存在SRAM中。在DUA从SRAM中取数据的读周期中，地址信号从DUA传送到SRAM中去，数据信号由SRAM输出给DUA。
DUA与SRAM的接口简化如下
在这里插入图片描述
AC特性如下，图中Data in指写入SRAM，Data out指从SRAM读出

对应时序约束如下：

create_clock -name PLL_CLK -period 5 [get_pins UPLL0/CLKOUT]
create_generated_clock -name SRAM_CLK -source [get_pins UPLL0/CLKOUT] -divide_by 1 [get_ports
SRAM_CLK]
set_output_delay -max 1.5 -clock SRAM_CLK [get_ports ADDR[*]]
set_output_delay -min -0.5 -clock SRAM_CLK [get_ports ADDR[*]]
set_output_delay -max 1.7 -clock SRAM_CLK [get_ports DQ[*]]
set_output_delay -min -0.8 -clock SRAM_CLK [get_ports DQ[*]]
set_input_delay -max 3.2 -clock SRAM_CLK [get_ports DQ[*]]
set_input_delay -min 1.7 -clock SRAM_CLK [get_ports DQ[*]]

2. DDR SDRAM接口

相比SRAM，SDRAM的数据传输采用独立时钟（DQS），且采用双边沿触发的形式传输数据，数据位宽不限为1。在SDRAM的读模式期间，DQ与DQS均由SDRAM提供，DQ总线与数据选通引脚DQS双边沿对齐。在SDRAM的写模式期间，DQ与DQS均由DUA提供，DQS与DQ总线相移90度。为了降低偏斜平衡的实现复杂度，DQS与8个DQ（及一个dm_dbi_n）一组，在FPGA中能用SelectIO的一个半字节组对应。
DUA与SDRAM的接口简化如下
在这里插入图片描述
CAC控制引脚在DUA处的AC特性如下

对应时序约束如下：

create_generated_clock -name DDRCLK -source [get_pins UPLL0/CLKOUT] -divide_by 1 [get_ports
DDRCLK]
set_output_delay -max 0.75 -clock DDRCLK [get_ports CAC]
set_output_delay -min -0.75 -clock DDRCLK [get_ports CAC]

数据引脚在DUA处的AC特性需分情况考虑，

读周期

在读周期中，存储器输出的数据与DQS是边沿对齐的，为了满足DFF时序，通常使用DLL（或其它替代方法来实现四分之一周期延迟）来延迟DQS，从而使DQS的边沿对齐于数据有效窗口的中心。
在这里插入图片描述
在DUA进行双边沿数据读取时，使用UFF0上升沿触发的触发器在DQS_DLL的上升沿捕获数据DQ，使用UFF5下降沿触发的触发器在DQS_DLL的下降沿捕获数据DQ。

对应的时序约束如下，对于下降沿的时序约束，使用-clock_fall标识

create_clock -period 5 -name DQS [get_ports DQS]
set_input_delay 0.4 -max -clock DQS [get_ports DQ]
set_input_delay -0.4 -min -clock DQS [get_ports DQ]
set_input_delay 0.35 -max -clock DQS -clock_fall [get_ports DQ]
set_input_delay -0.35 -min -clock DQS -clock_fall [get_ports DQ]
set_multicycle_path 0 -setup -to UFF0/D
set_multicycle_path 0 -setup -to UFF5/D

写周期

写周期中DQS边沿与从DUA内存储控制器输出的DQ信号相差四分之一周期，因此存储器可以直接使用DQS选通脉冲去捕获
数据。在存储器引脚处，DQS信号必须与DQ数据窗口的中心对齐。
在这里插入图片描述
对引脚处DQS与DQ的约束取决于DUA时钟的生成方式。

两倍频时钟

该方式下，对于DQ驱动采用两倍DQS频率的CLK2X时钟驱动，对应原理图如下
在这里插入图片描述
对应时序约束如下，DLL会对UFF1/Q进行延时，延时时长为1.5ns

create_clock -period 3 [get_ports CLK2X]
create_generated_clock -name pre_DQS -source CLK2X -divide_by 2 [get_pins UFF1/Q]
create_generated_clock -name DQS -source UFF1/Q -edges {1 2 3} -edge_shift {1.5 1.5 1.5} [get_ports DQS]

假设DDR SDRAM的DQ和DQS引脚之间建立时间要求分别为DQ上升沿的0.25ns和下降沿的0.4ns。类似地，假设DQ引脚上升
沿和下降沿的保持时间要求分别为0.15ns和0.2ns。DQS输出上的DLL延迟已设置为四分之一周期，即1.5ns，波形如下

在这里插入图片描述
时序约束如下，利用-rise、-fall区分上升与下降沿

set_output_delay -clock DQS -max 0.25 -rise [get_ports DQ]
set_output_delay -clock DQS -max 0.4 -fall [get_ports DQ]
set_output_delay -clock DQS -min -0.15 -rise [get_ports DQ]
set_output_delay -clock DQS -min -0.2 -fall [get_ports DQ]

内部一倍频时钟

使用POSEDGE_REG DFF与NEGEDGE_REG DFF分别在CLK1X上升沿、下降沿生成DQ数据，利用CLK1X的高低电平作为选择器的选择信号，CLK1X为高电平时，触发器NEGEDGE_REG的输出发送到DQ；而当CLK1X为低电平时，触发器POSEDGE_REG的输出发送到DQ。从而保证在时钟CLK1X的两个边沿都有新的数据输出DQ。
每个触发器都需要有半个CLK1X周期将数据传播到多路复用器的输入端，以保证在由CLK1X边沿选择输入数据之前，已在多路复用器的输入端口上准备好了输入数据。
在这里插入图片描述
对应波形如下：

对应时序约束如下：

create_clock -name CLK1X -period 6 [get_ports CLK1X]
create_generated_clock -name DQS -source CLK1X -edges {1 2 3} -edge_shift {1.5 1.5 1.5} [get_ports DQS]
set_output_delay -max 0.25 -clock DQS [get_ports DQ]
set_output_delay -max 0.3 -clock DQS -clock_fall [get_ports DQ]
set_output_delay -min -0.2 -clock DQS [get_ports DQ]
set_output_delay -min -0.27 -clock DQS -clock_fall [get_ports DQ]

为了减少由于DRAM和DUA处的阻抗不匹配而引起的反射，DDR接口的DQ和DQS信号在读模式和写模式下可能使用终端电阻ODT（On-Die Termination）。在使用ODT的情况下，STA将无法提供足够的精度。这时需要使用如详尽的电路级仿真的方式来验证SDRAM的接口时序。

3. DAC接口

下图展示了一个视频DAC（数模转换）转换接口，高速时钟将数据传输到DAC的低速时钟接口，其中UDFF0采用上升沿触发，UDAC2采用下降沿触发
在这里插入图片描述
在这种情况下，可以根据需要将从快时钟域到慢时钟域的接口指定为多周期（两周期）路径，也可以将建立时间视作单周期
（XPLL_CLK）路径。最关键的保持时间检查是在发起沿和捕获沿重合处执行的。