本文主要是介绍【转】鳍式FET的来龙去脉详解，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
如果您一直在关注有关半导体工艺技术的最新消息，那么您或许已经了解到全球最尖端代工厂将生产采用FinFET新型晶体管结构作为基本芯片构建块的器件了。这些待产的芯片将采用统称为16/14nm的工艺节点。不过您或许要问，FinFET到底是什么？与标准晶体管有什么不同？会带来什么样的优势和挑战？
半导体制造技术的一项关键发明、当今2，920亿美元市值的半导体产业得以存在的一个关键因素就是Jean Hoerni于1950年代在飞兆半导体公司发明的平面工艺。平面工艺能实现更小型的晶体管，并将其安装在各种不同电路中，或者将它们高效连接在一起嵌入在平行面板上，而不必像印刷电路板上的分离式组件一样堆叠在一起。平面工艺实现了IC的极端小型化。随着平面工艺的实施，半导体可以分层内置或蚀刻在超纯晶圆片上。图1a显示的平面晶体管（其实是一个复杂的开关）包括3个主要特性：源极、栅极和漏极，它蚀刻并分层放置在芯片的基片上。图1b显示的是FinFET，请注意这里的栅极在三侧围绕信道，而平面晶体管上的栅极仅覆盖信道顶部。
源极是指电子进入晶体管的地方。根据栅电压，晶体管栅极在栅极下信道可以为开或关，类似于电灯开关的开启和关闭。如果栅极允许信号通过信道，那么漏极会移动电子到电路中的下一个晶体管。理想的晶体管在开启时能允许大量电流通过，而关闭时则应几乎不让任何电流通过，而且每秒会在开/关状态间切换数十亿次。切换速度是决定每个IC性能的基本参数。芯片设计公司将晶体管安排组织在各种电路中，再依次安排组织在功能模块（如处理器、存储器和逻辑块）中。这样，这些模块也能安排组织起来构成多种IC，实现多种神奇的电子设备功能，让我们受益匪浅。
自1960年代以来，半导体产业推出了一系列芯片创新技术，创新步伐与摩尔定律同步，也就是说每隔两年IC中的晶体管数
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