DRAM、SDRAM和SRAM的区别

特点简介：

 

 

SRAM 

：

  

静态

RAM

，

不用刷新，

速度可以非常快，

像

CPU

内部的

cache

，

都是静态

RAM

，

缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。

 

DRAM

：

  

动态

RAM

，需要刷新，容量大。

 

SDRAM 

：同步动态

RAM

，需要刷新，速度较快，容量大。

 

DDR SDRAM

：

  

双通道同步动态

RAM

，需要刷新，速度快，容量大。

 

 

 

具体解释一：

 

 

   

什么是

DRAM 

 

 

DRAM 

的英文全称是

'Dynamic RAM'

，翻译成中文就是

'

动态随机存储器

'

。

DRAM

用于

通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指

DRAM

的容量。

 

 

 

 

什么是

SRAM 

 

 

SRAM 

的英文全称是

'Static RAM'

，翻译成中文就是

'

静态随机存储器

'

。

SRAM

主要用于

制造

Cache

。

 

 

 

什么是

SDRAM 

 

 

SDRAM 

的英文全称是

'Synchronous DRAM'

，

翻译成中文就是

'

扩充数据输出内存

'

，

它比

一般

DRAM

和

EDO RAM

速度都快，它已经逐渐成为

PC

机的标准内存配置。

 

 

 

什么是

Cache 

 

 

 Cache 

的英文原意是

'

储藏

'

，它一般使用

SRAM

制造，它与

CPU

之间交换数据的速度

高于

DRAM

，所以被称作

'

高速缓冲存储器

'

，简称为

'

高速缓存

'

。由于

CPU

的信息处理速度

常常超过其它部件的信息传递速度，

所以使用一般的

DRAM

来作为信息存储器常常使

CPU

处于等待状态，造成资源的浪费。

Cache

就是为了解决这个问题而诞生的。在操作系统启动

以后，

CPU

就把

DRAM

中经常被调用的一些系统信息暂时储存在

Cache

里面，

以后当

CPU

需要调用这些信息时，

首先到

Cache

里去找，

如果找到了，

就直接从

Cache

里读取，

这样利

用

Cache

的高速性能就可以节省很多时间。大多数

CPU

在自身中集成了一定量的

Cache

，

一般被称作

'

一级缓存

'

或

'

内置

Cache'

。

这部分存储器与

CPU

的信息交换速度是最快的，

但容

量较小。

大多数主板上也集成了

Cache

，

一般被称作

'

二级缓存

'

或

'

外置

Cache'

，

比内置

Cache

容量大些，一般可达到

256K

，现在有的主板已经使用了

512K

～

2M

的高速缓存。在最新的

Pentium

二代

CPU

内部，

已经集成了一级缓存和二级缓存，

那时主板上的

Cache

就只能叫作

'

三级缓存

'

了。

 

 

什么是闪存

 

 

 

闪存

 

目前主板上的

BIOS

大多使用

Flash Memory

制造，翻译成中文就是

'

闪动的存储器

'

，

通常把它称作

'

快闪存储器

'

，

简称

'

闪存

'

。

这种存储器可以直接通过调节主板上的电压来对

BIOS

进行升级操作。

 

 

解释为什么

dram

要刷新，

sram

不需要：

 

        

这个是由于

ram

的设计类型决定的，

dram

用了一个

t

和一个

rc

电路，导致电容毁漏电

和缓慢放电。所以需要经常的刷新来保持数据

 

 

具体解释二：

 

 

DRAM

，动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。

 

而且是行列地址复用的，

许多都有页模式。

  

SRAM

，静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不

是行列地址复用的。

  

SDRAM

，同步的

DRAM

，即数据的读写需要时钟来同步。

  

 

DRAM

和

SDRAM

由于实现工艺问题，容量较

SRAM

大。但是读写速度不如

SRAM

，但是

现在，

SDRAM

的速度也已经很快了，时钟好像已经有

150

兆的了。那么就是读写周期小于

10ns

了。

SDRAM

虽然工作频率高，但是实际吞吐率要打折扣。以

PC133

为例，它的时钟

周期是

7.5ns

，当

CAS latency=2 

时，它需要

12

个周期完成

8

个突发读操作，

10

个周期完成

8

个突发写操作。

不过，

如果以交替方式访问

Bank

，

SDRAM

可以在每个周期完成一个读写

操作

（当然除去刷新操作）

。

其实现在的主流高速存储器是

SSRAM

（同步

SRAM

）

和

SDRAM

（同步

DRAM

）

。目前可以方便买到的

SSRAM

最大容量是

8Mb/

片，最大工作速度是

166MHz

；可以方便买到的

SDRAM

最大容量是

128Mb/

片，最大工作速度是

133MHz

。

 

SRAM

是

Static Random Access Memory

的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一

种类型的半导体存储器。

“

静态

”

是指只要不掉电，存储在

SRAM

中的数据就不会丢失。这

一点与动态

RAM

（

DRAM

）不同，

DRAM

需要进行周期性的刷新操作。

 

然后，我们不应将

SRAM

与只读存储器（

ROM

）和

Flash Memory

相混淆，因为

SRAM

是一种易失性存储器，

它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。

“

随机访问

”

是指存储器的内容可以以

任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。

  

       SRAM

中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向

器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为

0

和

1

。另外还需要两个访问晶体管用于

控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个

MOSFET

。对称

的电路结构使得

SRAM

的访问速度要快于

DRAM

。

SRAM

比

DRAM

访问速度快的另外一

个原因是

SRAM

可以一次接收所有的地址位，而

DRAM

则使用行地址和列地址复用的结

构。

  

       SRAM

不应该与

SDRAM

相混淆，

SDRAM

代表的是同步

DRAM

（

Synchronous DRAM

）

，

这与

SRAM

是完全不同的。

SRAM

也不应该与

PSRAM

相混淆，

PSRAM

是一种伪装成

SRAM

的

DRAM

。

  

       

从晶体管的类型分，

SRAM

可以分为双极性与

CMOS

两种。从功能上分，

SRAM

可以

分为异步

SRAM

和同步

SRAM

（

SSRAM

）

。异步

SRAM

的访问独立于时钟，数据输入和输

出都由地址的变化控制。同步

SRAM

的所有访问都在时钟的上升

/

下降沿启动。地址、数据

输入和其它控制信号均于时钟信号相关。

 

DRAM

：动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的，

许多都有页模式。

 

SRAM

：静态的随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且，一般不

是行列地址复用的。

 

SDRAM

：同步的

DRAM

，即数据的读写需要时钟来同步。

 

    

主要是存储单元结构不同导致了容量的不同。一个

DRAM

存储单元大约需要一个晶体管

和一个电容

（不包括行读出放大器等）

，

而一个

SRAM

存储单元大约需要六个晶体管。

DRAM

和

SDRAM

由于实现工艺问题，容量较

SRAM

大，但是读写速度不如

SRAM

。

 

    

一个是静态的，

一个是动态的，

静态的是用的双稳态触发器来保存信息，

而动态的是用电

子，要不时的刷新来保持。