南昌中微生产研发基地项目正式建成并投入使用

美通社消息，中微半导体设备（上海）股份有限公司在南昌举办新厂落成仪式，宣布其旗下全资子公司南昌中微半导体设备有限公司的生产研发基地项目正式建成并投入使用。占地约130亩、总建筑面积约14万平方米的南昌中微新厂的落成，进一步提升了公司产品研发及生产能力，是中微公司发展历程中重要的里程碑。

南昌生产研发基地

落成仪式现场启动环节

中微公司南昌生产研发基地项目于2019年启动建设，占地面积约130亩，目前已投产的一期项目建筑面积约14万平方米。基地配备行业领先的实验室、洁净度达十级的高标准洁净室、先进的生产车间及高效的物流仓储中心，为公司进一步扩充高端设备产能、不断提升研发能力和科技创新水平提供有力支撑。此外，基地还为员工提供舒适的办公环境与休闲生活区域，员工宿舍、游泳池、健身房、羽毛球馆和篮球场等完善的配套设施，不仅有助于提升整体工作效率与组织活力，也让员工在工作之余享受舒适品质生活。

中微公司董事长兼总经理尹志尧博士表示：“南昌生产研发基地的落成是中微公司深耕高端微观加工设备领域，持续增强研发和生产能力的里程碑，为今后汇聚发展势能，实现跨越突破开辟了崭新局面。未来，我们将持续推进技术进步并推动产业发展，不断为客户和市场提供有竞争力的高端设备产品；深入落实三维发展战略，通过有机生长和外延拓展，尽快发展成为国内外一流的半导体设备和高科技领先企业！”

中微公司董事长、总经理尹志尧博士致辞

中微公司于2017年落户南昌高新区，成立全资子公司南昌中微，并于2018年9月顺利实现量产。南昌中微生产的用于 LED和功率器件外延片生产的 MOCVD 设备持续获得客户与市场的广泛认可。2021年，南昌中微推出了为Mini-LED量产而设计的Prismo UniMax® MOCVD设备主要用于氮化镓（GaN）基Mini LED外延片量产，同年其设备订单超100腔，并入选江西省科技成果转化十大典型案例。目前，中微公司开发的MOCVD设备在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据优势地位，部分产品在细分领域市占率达到全球排名第一。

中微公司开发的等离子体刻蚀设备和化学薄膜设备是制造各种微观器件的关键设备，可加工微米级和纳米级的各种器件。微公司的等离子体刻蚀设备已被广泛应用于国际一线客户从65纳米到5纳米及更先进工艺的众多刻蚀应用，中微公司开发的用于LED和功率器件外延片生产的MOCVD设备已在客户生产线上投入量产，目前已在全球氮化镓基LED MOCVD设备市场占据领先地位。

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