《炬丰科技-半导体工艺》单面晶圆减薄处理技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：单面晶圆减薄处理技术

编号：JFKJ-21-229

作者：炬丰科技

摘要  

    缩小特征尺寸的另一种选择是增加集成电路封装的密度和功能。模具尺寸和模具厚度已经大大减少。推动薄模具需求的主要因素包括便携式通信和计算设备、存储卡、智能卡、以及CMOS图像传感器、混合、箔式柔性系统、led、MEMS、太阳能和电源设备。

关键词:化学减薄、蚀刻、应力消除、波蚀、线性扫描、超薄晶片、处理、非接触卡盘。

介绍

 研磨、抛光和稀释技术;以及将晶圆与载体结合以进行处理、细化或加工的许多方法。因此，有一种新的化学稀释技术，它可以将晶片稀释到50µm或更少， 具有更好的均匀性，而且成本比传统的稀释更低。

减薄和应力消除

  化学稀释是消除亚表面损伤和减轻磨削和抛光留下的应力的必要步骤。化学稀释也是一种替代抛光(磨削后)的方法。

图2。材料去除均匀性(总厚度变化或TTV)典型的波蚀线性扫描减薄过程如上所示。在去掉75µm后，最终的厚度为112µm, TTV的范围从4”晶片的±1.5µm到8”晶片的±2.5µm。