本文主要是介绍微纳加工技术_薄膜制备_CVD(化学气相沉积)，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！
CVD(化学气相沉积)
文章目录
- CVD(化学气相沉积)
- CVD的一般反应过程
- CVD反应速率与温度的关系
- 常见的CVD技术
- 几种CVD的比较
- 实例：多晶硅的制备
- 实例：二氧化硅的制备
- 实例：Si3N4的制备
- 实例：各种层的CVD制备方法
- 常见的CVD反应方程式
- 填充特性
- 小结
CVD的一般反应过程
以下过程是串联进行的，反应速率取决于反应最慢的环节。
CVD反应速率与温度的关系
低温区温度敏感，高温区流量敏感；
反应速率对包角特性有影响
conformal :包角特性
包角特性是CVD的重要指标，一般的生产过程结果，是两种（包角 & 非包角）结合的产物，最后生成的形貌为：表面与底面沉积，拐角处堆积，侧壁较薄；
描述CVD的参数：
常见的CVD技术
几种CVD的比较
LPCVD & PECVD 对比
实例：多晶硅的制备
实例：二氧化硅的制备
实例：Si3N4的制备
实例：各种层的CVD制备方法
常见的CVD反应方程式
填充特性
填充不好的介质层；
填充不好的钨塞
填充好的钨塞；
小结
这篇关于微纳加工技术_薄膜制备_CVD(化学气相沉积)的文章就介绍到这儿，希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助！
