【正点原子STM32连载】 第四十五章 FLASH模拟EEPROM实验 摘自【正点原子】APM32F407最小系统板使用指南

2023-10-27 17:36
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本文主要是介绍【正点原子STM32连载】 第四十五章 FLASH模拟EEPROM实验 摘自【正点原子】APM32F407最小系统板使用指南，希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值，需要的开发者们随着小编来一起学习吧！

1）实验平台：正点原子stm32f103战舰开发板V4
2）平台购买地址：https://detail.tmall.com/item.htm?id=609294757420
3）全套实验源码+手册+视频下载地址： http://www.openedv.com/thread-340252-1-1.html##

第四十五章 FLASH模拟EEPROM实验

本章将介绍使用APM32F407的片上Flash模拟EEPROM，并对齐进行读写操作。通过本章的学习，读者将学习到闪存存储器控制（FMC）的使用。
本章分为如下几个小节：
45.1 硬件设计
45.2 程序设计
45.3 下载验证

45.1 硬件设计
45.1.1 例程功能

  1. 按下KEY_UP和KEY0按键，分别对Flash进行数据的写入和读取操作，读取到的数据会显示至LCD
  2. 可通过USMART对Flash进行单字数据的读取和写入操作
  3. LED0闪烁，指示程序正在运行
    45.1.2 硬件资源
  4. LED
    LED0 - PF9
  5. 按键
    KEY0 - PE4
    KEY_UP - PA0
  6. USART1（PA9、PA10连接至板载USB转串口芯片上）
  7. 正点原子 2.8/3.5/4.3/7/10寸TFTLCD模块（仅限MCU屏，16位8080并口驱动）
    45.1.3 原理图
    本章实验使用的FMC为APM32F407的片上资源，因此没有对应的连接原理图。
    45.2 程序设计
    45.2.1 Geehy标准库的FMC驱动
    APM32F407的片上Flash是可以直接读取的，但Flash无法直接写入，写入Flash前，需要先对其进行擦除操作，该操作需要有FMC来完成，其具体的操作步骤如下：
    ①：解锁访问FMC控制寄存器
    ②：擦除前禁止Flash的数据缓冲
    ③：擦除Flash的指定扇区
    ④：对Flash进行编程
    ⑤：重新使能Flash的数据缓冲
    ⑥：重新上锁访问FMC控制寄存器
    在Geehy标准库中对应的驱动函数如下：
    ①：解锁访问FMC控制寄存器
    该函数用于解锁访问FMC控制寄存器，其函数原型如下所示：
    void FMC_Unlock(void);
    该函数的形参描述，如下表所示：
    形参 描述
    无 无
    表45.2.1.1 函数FMC_Unlock()形参描述
    该函数的返回值描述，如下表所示：
    返回值 描述
    无 无
    表45.2.1.2 函数FMC_Unlock()返回值描述
    该函数的使用示例，如下所示：
#include "apm32f4xx.h"
#include "apm32f4xx_fmc.h"void example_fun(void)
{/* 解锁访问FMC控制寄存器 */FMC_Unlock();
}

②：禁止Flash数据缓冲
该函数用于禁止Flash的数据缓冲，其函数原型如下所示：
void FMC_DisableDataCache(void);
该函数的形参描述，如下表所示：
形参 描述
无 无
表45.2.1.3 函数FMC_DisableDataCache()形参描述
该函数的返回值描述，如下表所示：
返回值 描述
无 无
表45.2.1.4 函数FMC_DisableDataCache()返回值描述
该函数的使用示例，如下所示：

#include "apm32f4xx.h"
#include "apm32f4xx_fmc.h"void example_fun(void)
{/* 禁止Flash的数据缓冲 */FMC_DisableDataCache();
}

③：擦除Flash指定扇区
该函数用于擦除Flash的指定扇区，其函数原型如下所示：
FMC_STATUS_T FMC_EraseSector(FMC_SECTOR_T sector, FMC_VOLTAGE_T voltageRange);
该函数的形参描述，如下表所示：
形参 描述
sector 指定的Flash扇区
例如：FMC_SECTOR_0、FMC_SECTOR_11等（在apm32f4xx_fmc.h文件中有定义）
voltageRange 系统电压范围
例如：FMC_VOLTAGE_1、FMC_VOLTAGE_2等（在apm32f4xx_fmc.h文件中有定义）
表45.2.1.5 函数FMC_EraseSector()形参描述
该函数的返回值描述，如下表所示：
返回值 描述
FMC_BUSY 忙
FMC_ERROR_PROGRAM 编程错误
FMC_ERROR_WRP 写保护错误
FMC_ERROR_OPERATION 操作错误
FMC_COMPLETE 操作完成
表45.2.1.6 函数FMC_EraseSector()返回值描述
该函数的使用示例，如下所示：

#include "apm32f4xx.h"
#include "apm32f4xx_fmc.h"void example_fun(void)
{FMC_STATUS_T status;/* 擦除Flash的扇区11（系统电压在2.7V~3.6V之间） */status = FMC_EraseSector(FMC_SECTOR_11, FMC_VOLTAGE_3)；if (status == FMC_COMPLETE){/* Do something. */}else{/* Do something. */}
}

④：字编程Flash
该函数用于对Flash进行字编程，其函数原型如下所示：
FMC_STATUS_T FMC_ProgramWord(uint32_t address, uint32_t data);
该函数的形参描述，如下表所示：
形参 描述
address 指定Flash的地址
data 指定的数据
表45.2.1.7 函数FMC_ProgramWord()形参描述
该函数的返回值描述，如下表所示：
返回值 描述
FMC_BUSY 忙
FMC_ERROR_PROGRAM 编程错误
FMC_ERROR_WRP 写保护错误
FMC_ERROR_OPERATION 操作错误
FMC_COMPLETE 操作完成
表45.2.1.8 函数FMC_ProgramWord()返回值描述
该函数的使用示例，如下所示：

#include "apm32f4xx.h"
#include "apm32f4xx_fmc.h"void example_fun(void)
{FMC_STATUS_T status;/* 编程Flash指定地址0x08000000为0x50505050 */status = FMC_ProgramWord(0x08000000, 0x50505050)；if (status == FMC_COMPLETE){/* Do something. */}else{/* Do something. */}
}

⑤：使能Flash数据缓冲
该函数用于使能Flash的数据缓冲，其函数原型如下所示：
void FMC_EnableDataCache(void);
该函数的形参描述，如下表所示：
形参 描述
无 无
表45.2.1.9 函数FMC_EnableDataCache()形参描述
该函数的返回值描述，如下表所示：
返回值 描述
无 无
表45.2.1.10 函数FMC_EnableDataCache()返回值描述
该函数的使用示例，如下所示：

#include "apm32f4xx.h"
#include "apm32f4xx_fmc.h"void example_fun(void)
{/* 使能Flash的数据缓冲 */FMC_EnableDataCache();
}

⑥：上锁访问FMC控制寄存器
该函数用于上锁FMC控制寄存器，其函数原型如下所示：
void FMC_Lock(void);
该函数的形参描述，如下表所示：
形参 描述
无 无
表45.2.1.11 函数FMC_Lock()形参描述
该函数的返回值描述，如下表所示：
返回值 描述
无 无
表45.2.1.12 函数FMC_Lock()返回值描述
该函数的使用示例，如下所示：

#include "apm32f4xx.h"
#include "apm32f4xx_fmc.h"void example_fun(void)
{/* 上锁访问FMC控制寄存器 */FMC_Lock();
}

45.2.2 Flash驱动
本章实验的Flash驱动主要负责向应用层提供Flash的读写操作函数。本章实验中，Flash的驱动代码包括apmflash.c和apmflash.h两个文件。
Flash驱动中，读取Flash数据的函数，如下所示：

/*** @brief	从指定地址读出一个字数据* @param	faddr: 读取地址，必须按4字节对齐* @retval	读取到的一个字数据*/
uint32_t apmflash_read_word(uint32_t faddr)
{return *(volatile uint32_t *)faddr;
}/*** @brief	从指定地址读出指定长度的数据* @param	raddr : 指定读出数据的起始地址* @param	pbuf  : 保存读出数据的起始地址* @param	length: 指定读出数据的长度，单位：字* @retval	无*/
void apmflash_read(uint32_t raddr, uint32_t *pbuf, uint32_t length)
{uint32_t i;for (i=0; i<length; i++){pbuf[i] = apmflash_read_word(raddr);	/* 读出一个字的数据 */raddr += 4;								/* 地址偏移一个字的长度 */}
}

APM32F407片上Flash的读取十分简单，仅需读取对应地址的数据即可。
Flash驱动中，往Flash写入数据的函数，如下所示：

/*** @brief	向指定地址写入指定长度的数据* @param	waddr : 指定写入数据的起始地址* @param	pbuf  : 保存写入数据的起始地址* @param	length: 指定写入数据的长度，单位：字* @retval	无*/
void apmflash_write(uint32_t waddr, uint32_t *pbuf, uint32_t length)
{uint32_t addrx;uint32_t endaddr;FMC_STATUS_T status = FMC_COMPLETE;/* 指定地址小于Flash的起始地址* 指定地址大于Flash的末地址* 指定地址没有按4字节对齐*/if (	(waddr < APM32_FLASH_BASE) ||(waddr > (APM32_FLASH_BASE + APM32_FLASH_SIZE)) ||((waddr & 3) != 0)){return;}FMC_Unlock();						/* 解锁访问FMC控制寄存器 */FMC_DisableDataCache();				/* Flash擦除期间，必须禁止数据缓存 */addrx = waddr;						/* 数据写入的起始地址 */endaddr = waddr + (length << 2);	/* 数据写入的结束地址 */if (addrx < 0x1FFF0000)				/* 只有主存储区，才需要进行擦除操作 */{while (addrx < endaddr)			/* 擦除写入区域中存在非0xFFFFFFFF的扇区 */{if (apmflash_read_word(addrx) != 0xFFFFFFFF)	/* 存在非0xFFFFFFFF */{/* 擦除扇区 */status = FMC_EraseSector(	apmflash_get_flash_sector(addrx),FMC_VOLTAGE_3);/* 擦除失败 */if (status != FMC_COMPLETE){break;}}/* 无需擦除 */else{addrx += 4;}}}if (status == FMC_COMPLETE)				/* 擦除扇区没有错误 */{while (waddr < endaddr){/* 写入数据 */if (FMC_ProgramWord(waddr, *pbuf) != FMC_COMPLETE){break;}waddr += 4;pbuf++;}}FMC_EnableDataCache();					/* 重新打开数据缓存 */FMC_Lock();								/* 重新上锁访问FMC控制寄存器 */
}

在写Flash前需要先判断待写入的比特位是否为1，若不为1则需要先进行擦除操作，否则将写入失败，保证待写入位置的比特位全部为0后，方可调用函数FMC_ProgramWord()对Flash进行编程。
45.2.3 实验应用代码
本章实验的应用代码，如下所示：

/* 待写入Flash的数据 */
static const uint8_t g_text_buf[] = {"APM32 FLASH TEST"};/* 待写入Flash数据的长度 */
#define TEXT_SIZE sizeof(g_text_buf)/* 写Flash的长度，单位：字，按4字节向上对齐 */
#define SIZE ((TEXT_SIZE >> 2) + (((TEXT_SIZE & 3) != 0) ? 1 : 0))/* 写Flash的地址，必须4字节对齐，并且大于本代码的大小+Flash的起始地址（0x08000000） */
#define FLASH_SAVE_ADDR 0x08010000int main(void)
{uint8_t t = 0;uint8_t key;uint8_t data[SIZE];NVIC_ConfigPriorityGroup(NVIC_PRIORITY_GROUP_3);	/* 设置中断优先级分组为组3 */sys_apm32_clock_init(336, 8, 2, 7);					/* 配置系统时钟 */delay_init(168);										/* 初始化延时功能 */usart_init(115200);									/* 初始化串口 */usmart_dev.init(84);								/* 初始化USMART */led_init();											/* 初始化LED */key_init();											/* 初始化按键 */lcd_init();											/* 初始化LCD */lcd_show_string(30, 50, 200, 16, 16, "APM32", RED);lcd_show_string(30, 70, 200, 16, 16, "FLASH EEPROM TEST", RED);lcd_show_string(30, 90, 200, 16, 16, "ATOM@ALIENTEK", RED);lcd_show_string(30, 110, 200, 16, 16, "KEY_UP:Write  KEY0:Read", RED);while (1){t++;key = key_scan(0);if (key == WKUP_PRES)/* 写Flash */{lcd_fill(0, 150, 239, 319, WHITE);lcd_show_string(30, 150, 200, 16, 16, "Start Write FLASH....", RED);apmflash_write(FLASH_SAVE_ADDR, (uint32_t *)g_text_buf, SIZE);lcd_show_string(30, 150, 200, 16, 16, "FLASH Write Finished!", RED);}else if (key == KEY0_PRES)/* 读Flash */{lcd_show_string(30, 150, 200, 16, 16, "Start Read FLASH.... ", RED);apmflash_read(FLASH_SAVE_ADDR, (uint32_t *)data, SIZE);lcd_show_string(30, 150, 200, 16, 16, "The Data Readed Is:  ", RED);lcd_show_string(30, 170, 200, 16, 16, (char *)data, BLUE);}if (t == 20){LED0_TOGGLE();t = 0;}delay_ms(10);}
}

从本章实验的应用代码中可以看到，在完成相关的初始化工作后，便会不断地等待按键输入，若检测到KEY_UP按键被按下，则会往Flash的指定地址中写入指定的数据，若检测到KEY_0按键被按下，则会从Flash的指定地址中读取数据，并在LCD上进行显示。
45.3 下载验证
在完成编译和烧录操作后，可以看到LCD上显示了本实验相关的信息，此时便可按下KEY_UP按键往Flash的指定地址写入指定数据，然后再按下KEY_0按键从Flash的指定地址将写入的数据读回来在LCD上进行显示，此时便可以看到在LCD上显示了“APM32 FLASH TEST”的提示信息，该提示信息就是从Flash中读回的数据。

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