模组级存储与嵌入式存储的千差万别

2024-09-03 18:20

本文主要是介绍模组级存储与嵌入式存储的千差万别,希望对大家解决编程问题提供一定的参考价值,需要的开发者们随着小编来一起学习吧!

雷龙在多年销售CS创世 SD NAND(也称:迷你型eMMC,小尺寸/小容量eMMC,贴片式T卡,贴片式TF卡,贴片式SD卡等)的过程中,经常有被用户问到:SD NAND 与 TF卡 到底有哪些区别呢? 之前我们写了一篇文章来说明:http://www.longsto.com/news/8.html。
这里我们想从 一个模组级存储(比如TF卡,U盘) 和 嵌入式存储(SD NAND或者eMMC这些可焊接在PCB板上的存储芯片)角度给大家解读一下。

从产品应用端来看,模组级存储和嵌入式存储的区别:
以安卓手机为例 手机都有内置存储,但还会有一个TF卡的卡槽(支持外扩存储)。
外扩存储TF卡中 存储的内容主要是照片,视频或者下载的文件。
随着视频照片等内容的不断增加,可以通过更换TF卡来满足大容量存储的需求。并且也可以方便的将TF卡的内容拷贝到电脑中进行备份。

上述安卓手机的例子可以看到模组级存储的特点是方便更换。

以苹果手机为例 自从苹果手机横空出世以来,苹果一直都是内置存储,不支持外扩TF卡。这样的好处是内部的空间比较节省,不需要占据额外的TF卡座空间,存储的稳定性和一致性能得到极大的保证。安卓手机上出现的这种跌落无法识别TF卡等问题,以及手机防水等级都可以得到很大提高。但相对来说,从苹果手机拷贝资料到PC端或者从PC端载入资料到苹果手机端比较麻烦。

从上述安卓和苹果手机的例子能看到一些模组级存储和嵌入式存储的差别。

下面再从存储本身的内部构成,来看看模组级存储和嵌入式存储的差别。
从简单的芯片架构上来说模组级存储(TF卡,U盘)和嵌入式存储(SD NAND, eMMC)都是内置NAND Flash晶圆+NAND Flash控制器+Firmware。

在这里插入图片描述

从内置 NANDFLASH来看,
由于消费类的模组级存储不存在物料型号这个说法,一般只有品牌和容量等区别,并且消费者比较关注的是容量和价格。所以在消费者眼中是同样的东西,内部的NAND FLASH 却是千差万别。有些模组级存储选用的 NANDFLASH 有问题,会采用降容的方式来使用,有些则通过固件升容(实际没有标注的容量,PC上看到容量为标准的容量)。使用这样的模组级存储会导致后续出现的问题,很难排查,对于用了这样模组级存储的产品,整体品质无法控制。

嵌入式存储是有物料型号的,不同的物料型号对应的不同存储芯片,并且变更是有变更通知给到客户的,能保证产品的稳定性和一致性。内部的NANDFLASH 也必须选用高等级的晶圆,因为嵌入式产品是需要经过回流焊,焊接到PCB板上的。高温对于存储芯片也是一个考验。另外嵌入式存储一般还需要存储产品的系统,系统就相当于是产品的灵魂非常重要,所以能存储系统的嵌入式产品,本身的等级是需要比较高的。有些品牌的嵌入式产品,为了省成本直接用了品质不好的NANDFLASH 也会出现回流焊(SMT)后固件丢失,以及使用过程中突然无法初始化的情况。对于品质有要求的客户,如果主芯片支持SDIO或者SPI,可以选用CS创世的SD NAND ,芯片本身回流焊不会丢固件,并且有随机掉电1W次的测试,NANDFLASH全部都是选用了一线大厂的晶圆。

从固件(firmware)层面来看,
模组级存储的固件和嵌入式存储的固件也会有很多的区别,固件本身是一套软件,用来负责和HOST端的协议对接,并且管理NANDFLASH的读写操作。
很多时候模组级存储的兼容性就会体现在固件这个层面,有些白牌模组面对不同HOST的时候,会出现有时候能正常读写,有时候不能正常读写的情况。

嵌入式存储都有按照标准协议做兼容性测试,对于协议要求上升沿时间,下降沿时间,读写触发的高低电平等,以及R响应时间,busy响应时间都做了严格测试。再一次保障了产品的稳定和可靠。

综上,模组级产品和嵌入式存储各有优劣,最终客户可以按照自己的产品定位和使用方式来选择。如果客户对于稳定和一致性要求较高,可以选择CS创世的SD NAND。

这篇关于模组级存储与嵌入式存储的千差万别的文章就介绍到这儿,希望我们推荐的文章对编程师们有所帮助!



http://www.chinasem.cn/article/1133690

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