EPROM与EEPROM的异同 EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) 和 EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) 都是非易失性存储器，即即使断电后也能保留数据。以下是它们的主要异同点： 相同点： 非易失性：两者都能在不供电的情况下长期保持存储的数据。编

ROM（只读存储器）是一种在制造时被编程的存储器，其中存储的数据在断电后仍然保持不变。在ROM技术的演进历程中，出现了EP‌ROM（可擦除可编程只读存储器）、E‌EPR‌OM（电可擦除可编程只读存储器）和M‌ask R‌OM（掩模式只读存储器）等不同类型。下面我们将分别介绍它们的特点和应用，并给出相应的示例代码。 1. EPROM（可擦除可编程只读存储器）：    EPROM是一种可以被擦除和重

ROM（只读存储器）是一种存储设备，其内容通常在制造时被写入，并在以后不可更改。下面是一些常见类型的ROM及其特点： 1.MROM（Mask ROM）——厂家编写：    概念：MROM是一种只读存储器，其数据在制造过程中使用物理掩模（mask）固定在芯片上，无法更改。     特点：MROM非常稳定，数据不会丢失，也不受电源状态的影响。然而，它的内容在制造后无法修改，因此不适用于存

1 只读存储器（ROM） 半导体存储器的两大类之二：ROM(read only memory)，是一种永久性的数据存储器，其中的数据一旦写入，就不能随意更改；切断电源之后，数据也不会丢失。（早期设计时是没有修改数据功能的，只是后来随着科技的进步可读可写了，等于只是保留了ROM的名字来代表一类存储器） 1.1 掩膜只读存储器（Mask ROM） 早期采用掩膜工艺制作ROM集成电路芯片时，其中存

一、ROM         ROM(Read Only Memory)程序存储器，顾名思义，它是一种只能读出事先所存的数据的固态半导体存储器。ROM中所存数据稳定，一旦存储数据就再也无法将之改变或者删除，断电后所存数据也不会消失。其结构简单，因而常用于存储各种固化程序和数据。在单片机中用来存储程序数据及常量数据或变量数据，凡是c文件及h文件中所有代码、全局变量、局部变量、‘const’限定符定义

什么是ROM、EPROM、EEPROM、FLASH ROM、RAM？ 书箱摘录： NOR Flash和NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可心

概述 FC703是一款低功耗，高速，高噪声容限，EPROM/ROM基于8位CMOS工艺制造的单片机，采用RISC指令集，共有42条指令，除分支指令为两个周期指令以外其余为单周期指令。这种易用、易记的指令集大大缩短了开发时间。 FC703包含了上电复位(Power-on Reset POR)，掉电复位(Brown-out Reset BOR)， 上电复位计数器（Power-up Reset Ti